三星电子（Samsung Electronics）存储产品部副主席Kim LL-ung于10月12日在台湾的一次会议上透露，它们计划从明年第四季度开始量产采用多级单元型闪存技术（MLC，Multi-Level Cell）8Gbit NAND闪存。

    9月份时，三星公司推出了采用60纳米处理工艺的8Gbit闪存芯片颗粒。三星公司表示，推出8Gbit芯片颗粒主要是为推出16GB单面闪存做准备，它们有望在2007年推出16Gbit MLC NAND闪存芯片。

    虽然要到明年第二季度全球的NAND闪存需求量才会增加，但三星公司还是计划逐月提高NAND闪存的产量。三星计划提高用于NAND flash的晶圆产量，从本季度的月产35000片12英寸晶圆提高到45000片。

    同时三星公司预测，下一季度全球NAND闪存供应量将以0.9%的速度缓慢增长，但在之后的两个季度中供应量则会赶超出货量。而到明年的第四季度，NAND闪存需求量还可能会缩小。

    另据有关消息称，Kim LL-ung还表示三星将可能在明年投入50亿美元作为开发费用，而今年这一费用为41亿美元。