韩国芯片制造商Hynix半导体公司，透露了量产NAND闪存产品的充满干劲的计划。

　　根据Hynix在Sedex Korea 2005商业展览会上官方的消息，Hynix公司悄悄地准备了其首代70-nm的NAND闪存产品，包括先进的16-gigabit芯片，该公司正推出一系列基于单层单元（SLC）技术的90nm的1-、2-、4-和8-Gbit容量的NAND闪存芯片。

　　根据其产品线路图，该公司将立刻推出其首代70nm技术的4-、8-和16-Gbit产品，Hynix公司计划在11月推出其16-Gbit NAND设备的样品，明年的某个时候进行产品的量产。

　　如果Hynix公司能够把该芯片推向市场，该产品将会使得Hynix在NAND闪存技术上成为领先者之一。上个月其对手三星电子公司也宣布推出世上最大容量的NAND闪存，使用50nm技术制造的16-Gbit设备，该设备将在2006年下半年投入量产。

　　同时Hynix公司也在向先进的工厂前线移动，准备在中国的无锡建造一家内存生产厂，该厂是Hynix公司与STMicroelectronics有限公司合资的工厂，当该工厂完工后，该无锡工厂将计划用来生产DRAM和NAND闪存产品，作为Hynix和ST公司之间现存生产关系的扩展。

　　一条生产线可以处理8个产品，该工厂将计划在今年年底之前投入生产，开始时将采用从Hynix现存在韩国的厂家转移过来的生产处理过程，生产直径为300-mm的晶圆的生产线将在2006年下半年开始生产。

　　尽管Hynix公司在竞技上蹒跚地增长了不少，但是对于其闪存方面的产品计划仍然十分疑惑。根据iSuppli的报道，在2005年第二季度Hynix仅次于三星电子和Toshiba公司，位居NAND闪存产品供应商的第三位，增长了57%。