刚刚获得苹果iPod nano大订单的三星本周一再度宣布已研发出目前最高容量达16Gb（2GB）的NAND闪存芯片，三星表示新品最高将可组成32GB闪存容量供数码设备和闪存卡等产品使用。

　　新芯片已知将会使用50nm制程生产，而其核心体积也要较目前60nm制程的8Gb NAND芯片少25%，新品预期将于明年下半年正式投入量产，而届时的iPod nano等产品的储存容量估计也最少会再翻一番。

　　作为全球最大的NAND闪存供应商（55%市占），三星方面目前已目标让NAND闪存代替常规硬盘。。最少在某些特定的如数码市场上，而无论如何硬盘厂商们当然也并不是束手无策，毕竟几乎所有的硬盘厂商都已表示会从明年开始导入垂直记录技术来有效增加各自的硬盘容量。