正当两大韩系DRAM生产厂商三星电子（Samsung Electronics）以及海力士（Hynix）在NAND型闪存（Flash）市场陷入激战之际，台湾DRAM厂商纷纷大举为90nm制造过程加紧备战，重兵部署2006年全球DRAM市场的主流产品DDR2。台湾DRAM厂商表示，现阶段只有加紧提高90nm制造工艺的产出良率，才能有机会在2006年胜出，因为2006年DRAM厂商决胜的关键就在于90nm制程上。

　　台湾DRAM厂商指出，近几个月来，两大韩国DRAM厂商对于标准型DRAM几乎是无心恋战，而把所有的心思都花费在了NAND型闪存的生产上，主要原因是因为现阶段NAND型闪存的利润要远远超过标准型DRAM，三星公司甚至公开表示，就算三星已经成为全球第一大NAND型闪存的供应商之后，仍然不会减少对于NAND型闪存的生产。

　　海力士公司对于NAND型闪存的态度也是一面倒的情况，估计2005年前来自NAND型闪存的营业收入将占到海力士整体收入的40%之高，因此对于标准型DRAM产出也就显得意兴阑珊。台湾DRAM厂商认为，尽管三星以及海力士不遗余力投入先进的制程，但是相比较之下，仍不如台湾厂商动作积极。

　　台湾DRAM厂商方面，目前茂德公司正全力投入90nm的制程，预期在2005年下半年以及2006年茂德营收将主要来自12寸厂的90nm制程的生产线，茂德将凭借90nm制程，在2006年将产出推升将近80%，加上2006年DRAM产出进入DDR2时代，唯有依赖90nm的制造工艺才能主导市场。

　　茂德公司董事长陈民良4日表示，2006年茂德整体产出将出现爆炸性增长，主要是因为茂德90nm制程进度明显超前，目前仅仅落后海力士不到2个月的时间，产出良率更是令人振奋，平均产出良率在短短不到1个月时间里，已经提升到将近80%，此举也打破了过去台湾厂商的先进制造工艺技术落后国际厂商约2个季度的记录。陈民良表示茂德到9月份90nm的产出将达到3,000片，12月会提升到7,000片，较原定计划进度提早了2个月。

　　力晶公司方面，预计11~12月便将进入90nm制程，并在年底占到力晶总体产出的10%。力晶表示，唯有采用90nm制造工艺才能够产出现货市场或者OEM市场所需要的DDR2 667规格的产品，由于力晶90nm与0.10微米制造工艺属于同一时代，因此，有信心在短期内快速拉高90nm制程的产出。

　　目前由于DRAM的利润小，所以韩国厂商都没有用尽全力来做，台湾厂商在这个时候乘虚而入也是一种策略。好在DDR2真正成为主流怎么也得2006年了。