DigiTimes报道：集邦科技（DRAMeXchange）最新出炉报告统计，6月全球DRAM颗粒产出约5.54亿颗，创今年单月产出新高纪录，其中DDRI产出量持续下降，集邦认为，第三季DDRI供应将会吃紧；产出持续增加的DDRII，则以力晶（5346）、茂德（5387）12寸厂马首是瞻，最快今年底DDRII可超越DDRI成为主流。

　　集邦统计，6月DRAM颗粒产出共5.54亿颗，较5月的5.31亿颗成长4%，再度刷新今年单月新高纪录；在个别产品方面，由于DRAM厂产能转移至DDRII以及快闪内存（Nand Flash），使得DDRI产出持续下降，6月约3.35亿颗，约占DRAM产出量的60.6%，濒临六成关卡。

　　DDRII则持续攀高，6月产出约1.52亿颗，较5月1.34亿颗大幅成长13.4%，集邦指出，6月DDRII产出已经占DRAM产出比重约27.5%，预计最快到8月，DDRII比重便可突破三成；集邦进一步指出，年底DDRII比重将增至45%，可望替换DDRI成为主流。

　　集邦分析，台湾DRAM厂，除了南科，力晶新厂12B、茂德中科12寸厂第三季将陆续转换产能，第四季起，产出DDRII的效应将显着浮现。