昨天，Intel刚刚在台北IDF上面宣布，已成功在处理器中采用High-K绝缘体技术，能够减少处理器的漏电情况。并且和现在采用的SIO技术比起来，High-K技术的漏电比为仅为前者的10％，因此它可令处理器更快，也增加了处理器频率的提升能力。

　　不过据刚刚从德国慕尼黑传来的消息，Intel的英特尔科技策略主管Paolo Gargini表示，为了坚持目前的技术策略，Intel公司已经决定放弃在其45nm的处理器产品上采用High-K技术。Gargini同时称Intel公司正在致力于开发第二代High-K技术，具备更高规格的介电常数；由于Intel目前在推出超越65nm工艺的处理器计划尚未正式确定下来，因此Intel不敢贸然确定为45nm的处理器产品加入对于High-k技术；从另外一个角度来说，High-k技术目前尚不成熟，Intel的工程师正在致力于这项技术的不同工程应用方案。