如业界传闻早前所预期的，Intel在春季IDF上正式推出了首款NAND闪存芯片，而同时原有的NOR闪存主业也已明确会导入90nm和65nm制程生产。

　　Intel首款NAND闪存芯片的开发代号为Sixmile，虽然起始容量仅为256Mb（32M），但Intel重申目前市场对较少容量且相对廉价的NAND闪存需求还是占绝大多数，所以芯片的开发策略主供主流廉价市场是正确的。Intel目前未透露芯片的具体特性和年内的上市时间，不过此举可以肯定是Intel因应NAND所对应的数码电子设备需求日益增长所致，目前该市场的领头厂商主要为三星和东芝，而AMD和富士通合资的Spansion去年已宣布会推出结合NOR和NAND两款闪存特性的ORNAND闪存供应NAND市场。

　　而在另外一个同样日益增长的手机市场方面，Intel已表示今年会推出全新采用90nm制程的Sibley NOR闪存，新芯片可提供更高的数据读取和写入速度，储存容量则为512Mb（64M），Intel采用65nm制程，1Gb（128M）容量的NOR闪存预期可在06年推出。AMD方面早前则也已宣布其采用90nm制程的1Gb MirrorBit闪存已经出样。

　　Intel在场同时也介绍了一些诸如Haubinway的闪存文件管理系统，Hermon手机芯片和未来的Ovonics Unified Memory闪存等新技术和产品。