综合外电报道，瑞士Innovative silicon公司为DRAM领域提供了一项新的基本技术，他们称它为Z-RAM。

　　据了解这种技术和传统DRAM的差别是：传统DRAM的每一位单元需要一个晶体管和一个电容，而Z-RAM不需要电容，只需要一个晶体管就可以了。这样一来的直接结果就是Z-RAM占用的电路面积几乎等于传统的一半，而且速度和功耗上也有相应的提高。Z-RAM技术适合把存储器嵌入SOI CMOS工艺，以前在嵌入式系统中加入存储器是比较麻烦的事情，Z-RAM在刚刚提到的几方面的提高正好适用于嵌入式系统。

　　该公司用90-nm的硅材料进行了功能验证。得到的结果是存储器单元的读写时间都低于3ns。这样看来Z-RAM存储器足够可以充当嵌入式处理器的二级缓存或者是高性能处理器上的三级缓存，此外还可以用作帧缓存或者指令缓存这些传统的嵌入式DRAM。当然，Z-RAM不光用在嵌入式系统，也可以用在独立存储芯片上，因为传统DRAM工艺越来越难得到突破了。

　　内存速度关系到系统的速度哦，Z-RAM如果用到我们内存上，3ns起码可以做出DDR 667出来，增加容量也容易的多。