中国台湾力晶（Powerchip）董事长黄崇仁18日举行的第三季力晶法人说明会中，以难得一见的高分贝向在坐市场分析师及投资基金经理人喊话，他指出，虽当前国际DRAM大厂不断提高旗下12英寸晶圆厂投片量，再加上0.11微米制程转换可说是渐入佳境，但对2005年DRAM整体市场供需态势，仍是忧心忡忡，不过，他认为就当前DRAM厂投片情况来看，2005年DRAM厂旧有的8英寸厂对整体DRAM供给量贡献度，几乎可用“零贡献”来看待，甚至不排除有“负成长”发生，2005年标准型DRAM增加量将仅来自12英寸晶圆厂的贡献，即多数投资人均已“忽略”即将消灭产能所产生的变量。

    力晶于18日公布的数据显示，2005年所有国际DRAM厂中旗下8英寸厂，已未再听到任何扩充产能计划，顶多会于当前8英寸厂中再将机器设备提升，使其能够继续将制程技术持续提升，不过有部分DRAM厂所拥有的8英寸厂可采用此方式提升制程技术，但对多数DRAM厂而言，却是“心有余但却力不足”，只好将较“过时”的8英寸厂转做其余产品，且2005年起这样的现象将更加明显。

    威刚董事长陈立白也表示，2005年起DRAM市场将会出现数个世代交替现象，包括英特尔（Intel）将全力支持DDRⅡ的915系列芯片组，如此一来，DRAM规格会由DDR跨入DDRⅡ新世代，再加上为配合更快速处理器及芯片组运算速度，DRAM芯片容量会由256 Mb提高至512Mb，因此若再继续采用8英寸厂的0.13微米制程技术生产，势必无法与拥有12英寸厂且采用0.11或0.1微米制程技术DRAM厂相提并论，而这也就是为何2005年起全球DRAM颗粒产能增加部分，大部分将来自12英寸厂且采用0.11微米制程技术以下DRAM颗粒晶圆厂，而DRAM产业中原本8英寸厂产能贡献度几乎趋近于零。

    市场分析也表示，再加上DRAM厂厂进行产品世代交替时，势必会有数个月的时间，因产品线转换造成良率损失（yield rate loss），因此2005年实际产出量将不若外界预期多。更何况由于DDRⅡ规格或512Mb容量的DRAM颗粒，尺寸上均较现在主流DDR或256Mb产品要大了许多，以当前8英寸晶圆投片良率将无法提升至90％以上，唯有采用12英寸厂DRAM业者，将在这2个世代交替下，才具成本竞争优势。2005年DRAM厂会以提升12英寸厂产能为优先考虑，但相对也会有尽量减少于8英寸厂投产标准型DRAM颗粒。

    就2004年底全球各大DRAM颗粒厂旗下8英寸厂加上12英寸厂产出量来看，8英寸厂总产出量大约为91.5万片，12英寸厂则约产出49万片（约当8英寸厂产能），8英寸厂占全部产能约65％，不过到了2005年底8英寸厂产能则剧降仅剩50％左右，虽比重仍旧偏高，但由于DRAM颗粒制造成本较高，因此不会任意降价，但对于拥有12英寸厂的DRAM厂来说，便可制造成本较低而获利更高，而拥有12英寸厂愈多的DRAM颗粒，2005年其制造优势会更加明确。