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| 摩尔不败?Intel发现新材料芯片技术获突破 |
| 作者：佚名 来源：不详 发布时间：2005-12-20 9:05:13 发布人：admin |
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Intel美国当地时间7日，宣布开发出了一款新的、更快速、功耗更低的电子晶体管原型，该晶体管采用了新材料制造。Intel表示将可用于基本的微处理器以及其他的芯片组制造上，预计将从今后的下一个十年开发期的后半段开始。
Intel和英国的QinetiQ公司共同合作开发，新晶体管采用了锑化铟（元素符号：InSb）作为新材料来传导电流，晶体管控制电流在内部的流动。试验证明新的晶体管原型要比目前所普遍采用的晶体管速度要快，而且功耗更低。Intel希望用这种新材料来补充硅（silicon）的不足，来进一步的延展摩尔定律。
此次发表的新的电子晶体管工作电压仅为0.5 V，和现行的CPU相比将能够大幅度削减电力消耗，值得期待。
Intel官方文件：http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20051207corp.htm
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